色々勉強中

ＦＥＴの設計を学び直し…小学生の頃にアマチュア無線の試験を受けるために覚えて以降まるっきりやってなかったので（笑）

基本的に電圧でドライブする
電圧をかけると、ＧＳ間に電流が流れるようになる（スイッチがオンするイメージ）
ＶＧＳ（ＯＦＦ）は、ＧＳ間に、その電圧を最低限かけないと動作しない、というもの
ＶＧＳ-ＩＤの特性グラフにおいてＶＧＳ（ＯＦＦ）別のグラフが書いてあるのはＶＧＳ（ＯＦＦ）がチップによって違うから
これはＩＤＳＳと関連する。ＩＤＳＳの値でＶＧＳ（ＯＦＦ）が決まる、みたいな感じ。

相互コンダクタンスｇｍは、ゲート電圧変化で、ドレイン電流がどんだけ変化するか。トランジスタのhFEみたいなもの。

設計としては、まずＶＧＳ（ＯＦＦ）を鑑みつつ、無信号時のＩＤを決める。
ＩＤを決める際には、ＶＧＳの変化（信号の振幅）がどのくらいあるかを考慮しつつ、ＶＧＳ－ＩＤグラフから読み取ってきめる。
ＶＧＳの振幅が範囲を超えないぎりぎりまで高いＩＤを選択するのがよい（ＩＤ低くするとｇｍ下がって増幅率が下がる）

ＩＤが決まるとＶＧＳが決まる。グラフから読み取ることも、計算する事も可能。

つぎにＲＳ（ソース側の抵抗）を決める。これを大きくするとＩＤＳＳのばらつきに対して有利になるが、この抵抗の電圧降下分は
交流信号に対して使えない電圧になるので、大きくし過ぎるのも問題。

ＲＤ（ドレイン側の抵抗）は大きくするほど増幅度が上がる。

ＲＤに流れるＩＤの値で、ＶＤ（ＦＥＴのドレインの電圧）が決まり、そこを中心に次の段にＩＤの変化→電圧変化が出て行く
ＩＤとＶＧＳ（ＶＧＳ（ＯＦＦ））が決まるとＶＤＳが決まる
ＶＤ－ＶＤＳで、ＲＳにかかる電圧が決まり、ＩＤと鑑みるとＲＳの値が決められる

入力抵抗を決める。
Ｒ１＝Ｒ２（ＶＣＣ÷（ＶＧＳ＋ＩＤ＊ＲＳ）－１）
で、Ｒ１とＲ２の比率を決める


今回、
ＶＣＣ＝１５Ｖ
ＩＤＳＳは２０ｍＡ
ＶＧＳ（ＯＦＦ）は-0.5～-3.0V
Ｐｃｈとあわせて考えると多分-3.0V付近
まぁ、大体１Ｖの交流が流れてくることを想定すると、ＶＧＳに１Ｖ程度の余裕を見る必要がある
ＶＧＳ（ＯＦＦ）を-3.0Vでグラフを見ると、VGS=-2.0V弱にすると、温度変化に強そう。
そうするとIDは4mAくらい。
ＶＤＳで５Ｖくらい喰われるとして、１０Ｖ／４ｍＡ＝２．５ｋΩ、これをＲＳとＲＤに振ればよい

今ＲＤが異様に低くなってしまっているので、ＲＳとセットで高めにすればよさそうかな…